KALIMANTAN SELATAN — Dalam presentasinya di konferensi FMS 2026, Samsung membeberkan peta jalan teknologi memorinya untuk beberapa tahun ke depan. Tiga inovasi yang diumumkan—zHBM, zNAND-O, dan BV-NAND—memiliki fokus pasar yang berbeda, mulai dari akselerator AI kelas data center hingga solusi penyimpanan berlatensi rendah. Yang menarik, ketiganya menggunakan pendekatan teknis serupa: wafer bonding, yaitu menyatukan lapisan sirkuit logika dengan lapisan memori secara vertikal.
Konsep zHBM menempatkan tumpukan HBM (High Bandwidth Memory) langsung di atas akselerator AI, bukan di sekelilingnya seperti arsitektur konvensional. Dengan cara ini, jarak tempuh data antara unit komputasi dan memori menjadi jauh lebih pendek, yang berpotensi meningkatkan bandwidth dan efisiensi daya secara signifikan.
Samsung mengklaim arsitektur ini mampu memberikan performa hingga 8 kali lipat dibandingkan HBM5, dengan kepadatan memori 10 kali lebih tinggi dan efisiensi energi 3 kali lebih baik. Klaim lain yang tak kalah menarik adalah penurunan resistensi termal hingga 50 persen lebih rendah dari HBM5.
Sayangnya, klaim tersebut masih bersifat ambisius dan belum detail. Samsung belum menjelaskan apakah angka "8x performa" merujuk pada bandwidth murni, performa aplikasi riil, atau kombinasi keduanya. Standar HBM5 sendiri juga belum final, sehingga perbandingan ini masih sulit diverifikasi.
Yang jelas, zHBM mendukung desain khusus pelanggan dan memungkinkan integrasi IP kustom pada lapisan interkoneksi antara tumpukan HBM dan prosesor AI. Ini mengindikasikan bahwa zHBM bukanlah solusi standar industri, melainkan solusi semi-kustom yang bisa disesuaikan dengan kebutuhan spesifik pembeli.
Belum ada jadwal pasti kapan zHBM akan diproduksi massal. Jika mengacu pada perbandingannya dengan HBM5 yang diperkirakan baru hadir pada akhir dekade ini atau awal 2030-an, teknologi ini masih berjarak beberapa tahun lagi dari realisasi komersial.
Untuk segmen berbeda, Samsung memperkenalkan zNAND-O, teknologi NAND berperforma tinggi yang memungkinkan empat hingga delapan tumpukan perangkat NAND diletakkan di atas die logika. Teknologi ini dibangun di atas platform V-NAND Samsung dan dirancang untuk menggabungkan kepadatan penyimpanan tinggi dengan I/O yang lebih cepat dan latensi rendah.
Samsung menyebut teknologi ini cocok untuk sistem edge AI yang menjalankan workload inferensi real-time. Aplikasi semacam ini membutuhkan akses data yang sangat cepat tanpa harus bergantung pada penyimpanan eksternal yang lebih lambat. Meski begitu, penggunaannya tidak terbatas pada AI—aplikasi lain yang membutuhkan penyimpanan on-package berperforma tinggi juga bisa memanfaatkannya.
Karena masih dalam tahap pengembangan, Samsung belum membeberkan detail teknis lebih lanjut, termasuk skema bagaimana tumpukan zNAND-O akan ditempatkan di atas logika. Spekulasi yang beredar menyebutkan teknologi ini akan mengeksploitasi arsitektur paralel NAND dengan antarmuka berkecepatan tinggi, namun hal ini masih perlu konfirmasi resmi.
Berbeda dengan dua teknologi sebelumnya yang masih konsep, BV-NAND adalah nama baru untuk generasi ke-10 V-NAND Samsung yang sudah diumumkan sebelumnya. Teknologi ini mengikat array NAND di atas wafer I/O dan logika, yang diproduksi menggunakan proses logika berperforma tinggi sehingga memungkinkan kecepatan I/O lebih tinggi.
Samsung sebelumnya telah mengonfirmasi bahwa V-NAND generasi ke-10 ini memiliki kepadatan area 28 Gb/mm² dengan kecepatan I/O maksimum mencapai 5600 MT/s. Angka ini jauh lebih tinggi dibandingkan generasi sebelumnya yang hanya 3200 MT/s, meskipun kepadatannya sedikit lebih rendah dari kompetitor seperti Kioxia/Sandisk yang mencapai 37 Gb/mm² untuk BiCS10 TLC.
Penggunaan brand baru "BV-NAND" ini menarik. Samsung jarang menjual memori mentah ke pihak ketiga—mereka lebih sering memasarkan SSD jadi dengan merek sendiri. Brand baru ini bisa menjadi pembeda di pasar, terutama untuk SSD mid-range PCIe Gen5 yang performanya sangat bergantung pada kecepatan I/O NAND. Dengan controller empat kanal, kecepatan 5600 MT/s per pin bisa menghasilkan performa yang cukup impresif untuk kelas menengah.
Dari ketiga pengumuman ini, terlihat jelas bahwa Samsung ingin memperkuat posisinya di pasar memori AI yang sedang tumbuh pesat. zHBM menyasar akselerator AI kelas atas yang membutuhkan bandwidth maksimal, sementara zNAND-O dan BV-NAND menargetkan aplikasi yang membutuhkan penyimpanan cepat dengan latensi rendah.
Untuk konteks Indonesia, teknologi ini mungkin terdengar asing bagi konsumen umum. Namun, efeknya akan terasa dalam beberapa tahun ke depan—SSD yang lebih cepat dan efisien akan bermunculan di pasar ritel, dan layanan cloud yang menggunakan infrastruktur AI berkinerja tinggi juga akan meningkat kualitasnya.
Dari ketiga teknologi tersebut, hanya BV-NAND yang dipastikan akan segera hadir di pasar. zHBM dan zNAND-O masih membutuhkan waktu bertahun-tahun untuk matang. Namun, arah pengembangan Samsung sudah jelas: memori yang lebih dekat dengan komputasi, lebih cepat, dan lebih hemat daya—sebuah tren yang akan mendefinisikan generasi perangkat keras AI berikutnya.